Σχεδίαση VLSI Κυκλωμάτων

Κωδ.: 
ΕΠ01
Εξάμηνο: 
8
Τύπος μαθήματος νέο ΠΠΣ : 
Προαιρετικά Μαθήματα (ΠΜ)
K (new pps): 
B
E4: 
B
Ώρες Θεωρίας: 
3
Ώρες Φροντιστηρίου: 
0
Ώρες Εργαστηρίου: 
1
Προαπαιτούμενα Μαθήματα: 
Κατεύθυνση: 
Επικοινωνίες και Επεξεργασία Σήματος

Τεχνολογία κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων (Ο.Κ.) (ανάπτυξη κρυστάλλων, κατασκευή δισκιδίων, επιταξία, οξείδωση, διάχυση, εμφύτευση ιόντων, απόθεση στιβάδων), μέθοδοι σχεδίασης φυσικού αναπτύγματος (layout) Ο.Κ., κανόνες φυσικής σχεδίασης nMOS και CMOS, μικρολιθογραφία. Μοντέλα DC λειτουργίας των MOSFET. Βασικά ψηφιακά Ο.Κ. MOSFET (αναστροφέας, πύλη διέλευσης, συνδυαστικά κυκλώματα, ακολουθιακά, μνήμες). Αρχές πόλωσης των MOSFET (κυκλώματα πόλωσης τάσης, πηγές ρεύματος και ενεργοί φόρτοι). Ενισχυτές με μία και περισσότερες βαθμίδες (μοντέλα μικρού σήματος, βασικές αναλογικές δομικές βαθμίδες ενισχυτών, διαφορικός ενισχυτής, τελεστικός ενισχυτής). Απόκριση κατά συχνότητα των κυκλωμάτων με MOSFET (ισοδύναμα κυκλώματα Υ.Σ., αντιστάθμιση συχνότητας). Κυκλώματα διακοπτόμενων πυκνωτών (switched – capacitor  circuits) (αρχή λειτουργίας, εφαρμογές). Πρακτική εξάσκηση στη σχεδίαση φυσικού αναπτύγματος και στη σχεδίαση και προσομοίωση Ο.Κ. σε επίπεδο ηλεκτρονικού κυκλώματος.